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GB10HF60KD中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

GB10HF60KD
廠商型號(hào)

GB10HF60KD

功能描述

10 A - 600 V - short-circuit rugged IGBT

文件大小

477.41 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-29 23:03:00

GB10HF60KD規(guī)格書詳情

Features

■ Low on-voltage drop (VCE(sat))

■ Operating junction temperature up to 175 °C

■ Low Cres / Cies ratio (no cross conduction

susceptibility)

■ Tight parameter distribution

■ Ultrafast soft-recovery antiparallel diode

■ Short-circuit rugged

Applications

■ Motor drives

■ High frequency inverters

■ SMPS and PFC in both hard switch and

resonant topologies

Description

This device utilizes the advanced PowerMESH?

process for the IGBT and the Turbo 2 Ultrafast

high voltage technology for the diode. The

combination results in a very good trade-off

between conduction losses and switching

behavior rendering the product ideal for diverse

high voltage applications operating at high

frequencies.

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