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GB10NB37LZ中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

GB10NB37LZ
廠商型號(hào)

GB10NB37LZ

功能描述

10 A - 410 V internally clamped IGBT

文件大小

751.46 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-13 16:42:00

GB10NB37LZ規(guī)格書(shū)詳情

Description

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH?

process resulting in an excellent trade-off

between switching performance and low on-state

behavior. The built in collector-gate Zener exhibits

a very precise active clamping while the gateemitter Zener supplies an ESD protection.

Features

■ Low threshold voltage

■ Low on-voltage drop

■ Low gate charge

■ High current capability

■ High voltage clamping feature

Applications

■ Automotive ignition

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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