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GB50XF120K中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GB50XF120K
廠商型號

GB50XF120K

功能描述

IGBT SIXPACK MODULE

文件大小

315.4 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-5 11:04:00

GB50XF120K規(guī)格書詳情

Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology

? Low Diode VF

? 10μs Short Circuit Capability

? Square RBSOA

? HEXFRED Antiparallel Diode with Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient

? Ceramic DBC Substrate

? Low Stray Inductance Design

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control

? Rugged Transient Performance

? Low EMI, Requires Less Snubbing

? Direct Mounting to Heatsink

? PCB Solderable Terminals

? Low Junction to Case Thermal Resistance

? UL Listed

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    GB50XF120K

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 75 Amp 1200 Volt Non-Punch Through

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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