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ISB3010

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=20V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=0.5V(Max)@IC=2A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Microsemi/美高森美
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
5000
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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GBJ
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捷捷微
2020+
GBJ
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原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
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捷捷微
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只做原裝，歡迎詢價(jià)，量大價(jià)優(yōu)
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SOT23-5
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JINGDAO/晶導(dǎo)微
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GBJ
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原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ZV
23+
GBJ
55000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
更多GBJ3010供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-4 13:00:00

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