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GD18N40LZ	文件：466.49 Kbytes Page：16 Pages	Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ Description Thisapplication-specificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESHtechnology optimizedforcoildrivingintheharshenvironmentofautomotiveignitionsystems. Thedeviceshowverylowon-statevoltageandveryhighSCISenergycapabilityover awideoperatingtemperaturerange.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
GP18N40LZ	文件：896 Kbytes Page：19 Pages	EAS180mJ-390V-internallyclampedIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
NGB18N40ACLB	文件：261.89 Kbytes Page：9 Pages	IdealforCoil??n??lugApplications	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
NGB18N40ACLB	文件：126.96 Kbytes Page：8 Pages	IgnitionIGBT18Amps,400Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NGD18N40ACLB	文件：128.19 Kbytes Page：8 Pages	IgnitionIGBT,18A,400VN.ChannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NGD18N40CLB	文件：70.35 Kbytes Page：8 Pages	IgnitionIGBT18Amps,400Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
SLF18N40C	文件：209.78 Kbytes Page：7 Pages	400VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司	MAPLESMI
SLP18N40C	文件：209.78 Kbytes Page：7 Pages	400VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司	MAPLESMI
STGB18N40LZ	文件：632.91 Kbytes Page：18 Pages	EAS180mJ-400V-internallyclampedIGBT Description Thisapplication-specificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH?technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgate-emitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STGB18N40LZ	文件：636.58 Kbytes Page：18 Pages	EAS180mJ-400V-internallyclampedIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
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