GD25LE128D集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號	GD25LE128D
參數(shù)屬性	GD25LE128D 封裝/外殼為21-XFBGA，WLSCP；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產品描述：IC FLSH 128MBIT SPI/QUAD 21WLCSP
功能描述	MCU IC FLSH 128MBIT SPI/QUAD 21WLCSP
封裝外殼	21-XFBGA，WLSCP
文件大小	4.30145 Mbytes
頁面數(shù)量	28 頁
生產廠商	GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.
企業(yè)簡稱	GigaDevice【兆易創(chuàng)新】
中文名稱	北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司官網
原廠標識
數(shù)據手冊	原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2025-1-18 17:30:00

GD25LE128D規(guī)格書詳情

GD25LE128D屬于集成電路（IC）的存儲器。由北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司制造生產的GD25LE128D存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產品屬性

產品編號：
GD25LE128DLIGR
制造商：
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
管件
存儲器類型：
非易失
存儲器格式：
閃存
技術：
FLASH - NOR
存儲容量：
128Mb（16M x 8）
存儲器接口：
SPI - 四 I/O
寫周期時間 - 字，頁：
2.4ms
電壓 - 供電：
1.65V ~ 2V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
21-XFBGA，WLSCP
供應商器件封裝：
21-WLCSP
描述：
IC FLSH 128MBIT SPI/QUAD 21WLCSP

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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