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GD25LQ10CEIGR

Package：8-XFDFN 裸露焊盤；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 1MBIT SPI/QUAD 8USON

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

GD25LQ10CEJG

1.8VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

GD25LQ10CHEG

1.8VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

GD25LQ10CHFG

1.8VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

GD25LQ10CHIG

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GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

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GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    GD25LQ10CEIGR

  • 制造商：

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NOR

  • 存儲容量：

    1Mb（128K x 8）

  • 存儲器接口：

    SPI - 四 I/O

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    50μs，2.4ms

  • 電壓 - 供電：

    1.65V ~ 2.1V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-XFDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-USON（2x3）

  • 描述：

    IC FLASH 1MBIT SPI/QUAD 8USON

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多GD25LQ10CEIGR供應(yīng)商 更新時間2025-2-26 9:01:00

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