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GD25LQ128EWIGR 集成電路（IC）存儲器 GIGADEVICE/兆易創(chuàng)新

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原廠料號：GD25LQ128EWIGR品牌：GD/兆易創(chuàng)新

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GD25LQ128EWIGR是集成電路（IC） > 存儲器。制造商GD/兆易創(chuàng)新/GigaDevice Semiconductor (HK) Limited生產(chǎn)封裝WSON8/8-WDFN 裸露焊盤的GD25LQ128EWIGR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    GD25LQ128EWIGR

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    GIGADEVICE【兆易創(chuàng)新】詳情

  • 廠商全稱：

    GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

  • 中文名稱：

    北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    GD25LQ128EWIGR

  • 制造商：

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NOR

  • 存儲容量：

    128Mb（16M x 8）

  • 存儲器接口：

    SPI - 四 I/O

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    60μs，2.4ms

  • 電壓 - 供電：

    1.65V ~ 2V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-WDFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝：

    8-WSON（5x6）

  • 描述：

    128MBIT NOR FLASH /1.8V /WSON8 6

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市威爾健半導體有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    蘇經(jīng)理

  • 手機：

    17302670410

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83383789

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A棟17e

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