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GD25LQ256DYIG集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
GD25LQ256DYIG |
| 參數(shù)屬性 | GD25LQ256DYIG 封裝/外殼為8-WDFN 裸露焊盤；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON |
| 功能描述 | 1.8V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash |
| 封裝外殼 | 8-WDFN 裸露焊盤 |
| 文件大小 |
1.58327 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
85 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
GigaDevice【兆易創(chuàng)新】 |
| 中文名稱 | 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-25 20:42:00 |
| 人工找貨 | GD25LQ256DYIG價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
GD25LQ256DYIG規(guī)格書詳情
GD25LQ256DYIG屬于集成電路（IC）的存儲(chǔ)器。由北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司制造生產(chǎn)的GD25LQ256DYIG存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
GD25LQ256DYIGR
- 制造商：
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
管件
- 存儲(chǔ)器類型：
非易失
- 存儲(chǔ)器格式：
閃存
- 技術(shù)：
FLASH - NOR
- 存儲(chǔ)容量：
256Mb（32M x 8）
- 存儲(chǔ)器接口：
SPI - 四 I/O
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
2.4ms
- 電壓 - 供電：
1.65V ~ 2V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-WDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-WSON（6x8）
- 描述：
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GD |
20+ |
QFN |
2120 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
GD(兆易創(chuàng)新) |
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NA/ |
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GD/兆易創(chuàng)新 |
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WSON8 |
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GigaDevice Semiconductor (HK) |
23+/24+ |
8-WDFN |
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GIGADEVICE SEMICONDUCTOR |
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GD/兆易創(chuàng)新 |
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GD/兆易創(chuàng)新 |
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詢價(jià) |
