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GD25PJX120L3S-ISGM2002

IGBT Module

FEATURES ·Lowswitchinglosses ·Lowvce(sat)withpositivetemperaturecoefficient ·Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD ·Lowinductancecase ·Highshortcircuitcapability(10us) ·IsolatedheatsinkusingDBCtechnology ·Maximumjunctiontemperature175℃ APPLICATIONS ·I

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多GD25PJX120L3S-ISGM2002供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 13:00:00

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