GD25Q256EYIGR_集成電路(IC) 存儲(chǔ)器-兆易創(chuàng)新

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原廠料號(hào):GD25Q256EYIGR品牌:GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

資料說(shuō)明:256MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 8

GD25Q256EYIGR是集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。制造商GIGADEVICE/兆易創(chuàng)新生產(chǎn)封裝8-WDFN 裸露焊盤(pán)的GD25Q256EYIGR存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號(hào):

    gd25q256eyigr

  • 規(guī)格書(shū):

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    GIGADEVICE【兆易創(chuàng)新】詳情

  • 廠商全稱:

    GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

  • 中文名稱:

    北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

  • 資料說(shuō)明:

    256MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 8

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GD25Q256EYIGR

  • 制造商:

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NOR

  • 存儲(chǔ)容量:

    256Mb(32M x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    SPI - 四 I/O

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    50μs,2.4ms

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-WDFN 裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-WSON(6x8)

  • 描述:

    256MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 8

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
GD(兆易創(chuàng)新)
2023+
WSON-8(8x6)
4550
全新原裝正品
詢價(jià)
GD(兆易創(chuàng)新)
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GD
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原廠代理渠道,正品保障
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GD(兆易創(chuàng)新)
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GD
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