GD25Q64ESIGR_集成電路(IC) 存儲器-兆易創(chuàng)新

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原廠料號:GD25Q64ESIGR品牌:GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

資料說明:64MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 208

GD25Q64ESIGR是集成電路(IC) > 存儲器。制造商GIGADEVICE/兆易創(chuàng)新生產(chǎn)封裝8-SOIC(0.209",5.30mm 寬)的GD25Q64ESIGR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號:

    gd25q64esigr

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    GIGADEVICE【兆易創(chuàng)新】詳情

  • 廠商全稱:

    GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

  • 中文名稱:

    北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

  • 資料說明:

    64MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 208

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    GD25Q64ESIGR

  • 制造商:

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NOR

  • 存儲容量:

    64Mb(8M x 8)

  • 存儲器接口:

    SPI - 四 I/O

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70μs,2.4ms

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.209",5.30mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOP

  • 描述:

    64MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 208

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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