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GD25S512MDYIG集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

GD25S512MDYIG
廠商型號

GD25S512MDYIG

參數(shù)屬性

GD25S512MDYIG 封裝/外殼為8-WDFN 裸露焊盤;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON

功能描述

3.3V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON

封裝外殼

8-WDFN 裸露焊盤

文件大小

1.68625 Mbytes

頁面數(shù)量

87

生產(chǎn)廠商 GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.
企業(yè)簡稱

GigaDevice兆易創(chuàng)新

中文名稱

北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-17 11:06:00

GD25S512MDYIG規(guī)格書詳情

GD25S512MDYIG屬于集成電路(IC)的存儲器。由北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司制造生產(chǎn)的GD25S512MDYIG存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    GD25S512MDYIGR

  • 制造商:

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NOR

  • 存儲容量:

    512Mb(64M x 8)

  • 存儲器接口:

    SPI - 四 I/O

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    50μs,2.4ms

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-WDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-WSON(6x8)

  • 描述:

    IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON

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