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GD25S512MDYIG集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
GD25S512MDYIG |
參數(shù)屬性 | GD25S512MDYIG 封裝/外殼為8-WDFN 裸露焊盤;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON |
功能描述 | 3.3V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash |
封裝外殼 | 8-WDFN 裸露焊盤 |
文件大小 |
1.68625 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
87 頁 |
生產(chǎn)廠商 | GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. |
企業(yè)簡稱 |
GigaDevice【兆易創(chuàng)新】 |
中文名稱 | 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-17 11:06:00 |
GD25S512MDYIG規(guī)格書詳情
GD25S512MDYIG屬于集成電路(IC)的存儲器。由北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司制造生產(chǎn)的GD25S512MDYIG存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
GD25S512MDYIGR
- 制造商:
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
托盤
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
閃存
- 技術(shù):
FLASH - NOR
- 存儲容量:
512Mb(64M x 8)
- 存儲器接口:
SPI - 四 I/O
- 寫周期時間 - 字,頁:
50μs,2.4ms
- 電壓 - 供電:
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-WDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-WSON(6x8)
- 描述:
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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48000 |
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GD/兆易創(chuàng)新 |
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GD |
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GD(兆易創(chuàng)新) |
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