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GD25WD10CTIG集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
GD25WD10CTIG |
參數(shù)屬性 | GD25WD10CTIG 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 1MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP |
功能描述 | Uniform Sector Standard and Dual Serial Flash |
封裝外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
文件大小 |
896.5 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
43 頁 |
生產(chǎn)廠商 | GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
GigaDevice【兆易創(chuàng)新】 |
中文名稱 | 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-9 22:59:00 |
人工找貨 | GD25WD10CTIG價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
GD25WD10CTIG規(guī)格書詳情
GD25WD10CTIG屬于集成電路(IC)的存儲(chǔ)器。由北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司制造生產(chǎn)的GD25WD10CTIG存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
GD25WD10CTIG
- 制造商:
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
管件
- 存儲(chǔ)器類型:
非易失
- 存儲(chǔ)器格式:
閃存
- 技術(shù):
FLASH - NOR
- 存儲(chǔ)容量:
1Mb(128K x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
SPI - 四 I/O
- 電壓 - 供電:
1.65V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-SOP
- 描述:
IC FLASH 1MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
GigaDevice(兆易創(chuàng)新) |
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SOP8 |
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GD/兆易創(chuàng)新 |
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