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GD5F1GQ4UEYIG集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
GD5F1GQ4UEYIG |
| 參數屬性 | GD5F1GQ4UEYIG 封裝/外殼為8-WDFN 裸露焊盤；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產品描述：IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON |
| 功能描述 | SPI(x1/x2/x4) NAND Flash |
| 封裝外殼 | 8-WDFN 裸露焊盤 |
| 文件大小 |
1.64508 Mbytes |
| 頁面數量 |
53 頁 |
| 生產廠商 | GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
GigaDevice【兆易創(chuàng)新】 |
| 中文名稱 | 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-6 10:07:00 |
GD5F1GQ4UEYIG規(guī)格書詳情
GD5F1GQ4UEYIG屬于集成電路（IC）的存儲器。由北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司制造生產的GD5F1GQ4UEYIG存儲器存儲器是集成電路上用作數據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產品屬性
更多- 產品編號：
GD5F1GQ4UEYIGY
- 制造商：
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
管件
- 存儲器類型：
非易失
- 存儲器格式：
閃存
- 技術：
閃存 - NAND
- 存儲容量：
1Gb（128M x 8）
- 存儲器接口：
SPI - 四 I/O
- 寫周期時間 - 字，頁：
700μs
- 電壓 - 供電：
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-WDFN 裸露焊盤
- 供應商器件封裝：
8-WSON（6x8）
- 描述：
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GD(兆易創(chuàng)新) |
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