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GD5F1GQ4UFYIG集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

GD5F1GQ4UFYIG
廠商型號

GD5F1GQ4UFYIG
參數屬性

GD5F1GQ4UFYIG 封裝/外殼為8-WDFN 裸露焊盤；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產品描述：IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
功能描述

SPI(x1/x2/x4) NAND Flash
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
封裝外殼

8-WDFN 裸露焊盤
文件大小

1.65188 Mbytes
頁面數量

50 頁
生產廠商 GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.
企業(yè)簡稱

GigaDevice【兆易創(chuàng)新】

中文名稱

北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-23 9:30:00
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GD5F1GQ4UFYIG規(guī)格書詳情

GD5F1GQ4UFYIG屬于集成電路（IC）的存儲器。由北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司制造生產的GD5F1GQ4UFYIG存儲器存儲器是集成電路上用作數據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產品屬性

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  • 產品編號：

    GD5F1GQ4UFYIGY

  • 制造商：

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲器接口：

    SPI - 四 I/O

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    700μs

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-WDFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝：

    8-WSON（6x8）

  • 描述：

    IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
GigaDevice Semiconductor (HK)
23+
8-WSON6x8
7300
專注配單,只做原裝進口現貨
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23+
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10000
只做原裝 假一賠萬
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24+
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100
C24-電感器
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GigaDevice Semiconductor (HK)
23+/24+
8-WDFN
8600
只供原裝進口公司現貨+可訂貨
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GD/兆易創(chuàng)新
21+
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