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GDS-2204	文件：469.69 Kbytes Page：2 Pages	200MHz/100MHz/60MHz Digital Storage Oscilloscope	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 固緯電子固緯電子實(shí)業(yè)股份有限公司	GWINSTEK
GDS-2204A	文件：737.71 Kbytes Page：2 Pages	300/200/100/70 MHz Digital Storage Oscilloscope	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 固緯電子固緯電子實(shí)業(yè)股份有限公司	GWINSTEK
HAT2204C	文件：139.59 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HAT2204C	文件：111.08 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HAT2204C-EL-E	文件：139.59 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HM2204D	文件：489.66 Kbytes Page：10 Pages	14VStep-upDC/DCConverter	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HO-NP-2204	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 萊姆電子萊姆（LEM）集團(tuán)	LEM
HO-P-2204	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 萊姆電子萊姆（LEM）集團(tuán)	LEM
HT2204L	文件：611.27 Kbytes Page：24 Pages	LCDMODULE(240?RGB?320Dots)	HYES HYES Optoelectronics, Inc.	HYES
IIRF2204	文件：338.51 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3.6m? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF2204	文件：141.6 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204	文件：338.51 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3.6m? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF2204L	文件：224.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturestothisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandim	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204LPBF	文件：256.45 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=40V,RDS(on)=3.6m廓,ID=170A) Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeatures	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204PBF	文件：263.64 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204PBF	文件：263.64 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204S	文件：224.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturestothisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandim	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204S	文件：263.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTO-263(D2PAK)packaging ?Highspeedswitching ?Lowgateinputresistance ?Standardlevelgatedrive ?Easytouse ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Powersupply ?Switchinga	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF2204SPBF	文件：256.45 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=40V,RDS(on)=3.6m廓,ID=170A) Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeatures	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204SPBF	文件：329.36 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

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更多GDS-2204供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 14:44:00

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