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GE12047BCA3中文資料GEC數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GE12047BCA3
廠商型號

GE12047BCA3

功能描述

1200V Dual Silicon Carbide Power module

文件大小

495.27 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 General Electric Company
企業(yè)簡稱

GEC

中文名稱

美國通用電氣公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-2 15:36:00

GE12047BCA3規(guī)格書詳情

Features

?Highly reliable GE SiC MOSFET devices

?Low R DS(ON) (3.1 m?) (device only)

?Low stray inductance (1 nH )

?SiC die qualified to +200 C

?Ultra low switching losses over entire

operating range

?Body diode with minimal reverse

recovery

?Integrated temperature sensing

?Dedicated DESAT Pin and Source

Kelvin Pin

?AlSiC Baseplate and Si 3 N 4 AMB

Substrate

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