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IRFI9634G	文件：261.57 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Advancedprocesstechnology ?DynamicdV/dtrating ?150°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?P-channel ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfrom	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI9634G	文件：120.46 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-250V,Rds(on)=1.0ohm,Id=-4.1A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinati	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9634G	文件：850.4 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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MAX9634	文件：283.46 Kbytes Page：11 Pages	1μA,4-BumpUCSP/SOT23,PrecisionCurrent-SenseAmplifier	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導體	Maxim
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更多GI9634供應商更新時間2025-1-25 13:30:00

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