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GJ1182中文資料勤益投資控股數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

GJ1182
廠商型號(hào)

GJ1182

功能描述

NP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

文件大小

278.91 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 GTM CORPORATION
企業(yè)簡(jiǎn)稱

GTM勤益投資控股

中文名稱

勤益投資控股股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-15 22:58:00

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GJ1182規(guī)格書詳情

Description

The GJ1182 is designed for medium power amplifier applications.

Features

? Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(Typ.)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    GJ1182

  • 制造商:

    GTM

  • 制造商全稱:

    GTM

  • 功能描述:

    NP SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
OMRON
2016+
DIP
26520
全新原裝,假一罰十,公司主營(yíng)繼電器!
詢價(jià)
24+
TO-252
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