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GMB01U

Very High-Speed Switching Diode

EpitaxialPlanarType Features ?Glasssleevestructure ?Allowablepowerdissipation:P=250mWmax. ?Interterminalcapacitance:c=3.0pFmax. ?Reverserecoverytime:trr=4.0nsmax. ?Meetstherequirementsforhigh-speedautomaticmounter(DO-34package)

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

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更多GMB01U供應(yīng)商 更新時間2025-1-4 11:00:00