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GN2470K4

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

GeneralDescription TheSupertexGN2470isa700V,3.5ampinsulatedgatebipolartransistor(IGBT)thatcombinesthepositiveaspectsofbothBJTsandMOSFETs. TheGN2470IGBThasloweron-statevoltagedropwithhighblockingvoltagecapabilitiesandfeaturesmanydesirablepropertiesincluding

SUTEX

Supertex, Inc

GN2470K4-G

Insulated Gate Bipolar Transistor

SUTEX

Supertex, Inc

GN2470K4-G

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IC IGBT 700V 3.5A 3DPAK

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

DN2470K4-G

N-Channel,Depletion-Mode,VerticalDMOSFET

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

DN2470K4-G

N-ChannelDepletion-ModeVerticalDMOSFET

SUTEX

Supertex, Inc

DN2470K4-G

N-CHANNELDEPLETION-MODEVERTICALDMOSFET

SUTEX

Supertex, Inc

詳細參數(shù)

  • 型號：

    GN2470K4

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 700V 3.5A IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

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更多GN2470K4供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 16:00:00

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