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HM2803	文件：1.53576 Mbytes Page：8 Pages	HB-LEDdriverchip	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM2803A	文件：1.12532 Mbytes Page：8 Pages	3WHB-LEDdriverchip	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HSMS-2803	文件：139.06 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TypicalapplicationsoftheseSchottkydiodesaremixing,detectin	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP
HSMS-2803	文件：196.33 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TheHSMS-280xseriesofdiodesisoptimizedforhighvoltagea	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TheHSMS-280xseriesofdiodesisoptimizedforhighvoltagea	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodesHighBreakdownVoltage Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TheHSMS-280xseriesofdiodesisoptimizedforhighvoltagea	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半導(dǎo)體	BOARDCOM
HSMS-2803	文件：196.56 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
HV2803	文件：1.0148 Mbytes Page：32 Pages	NoHigh-VoltageBias,LowHarmonicDistortion,32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch Features ?32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch ?NoHigh-VoltageSuppliesRequired ?32-Channel,Single-Pole,Single-Throw(SPST) IndividualSwitchingorBankSwitching ?3.3VCMOSInputLogicLevel ?66MHzDataShiftClockFrequency ?Silicon-on-Insulator(SOI)High-Voltage Technology	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
HV2803/AHA	文件：1.0148 Mbytes Page：32 Pages	NoHigh-VoltageBias,LowHarmonicDistortion,32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch Features ?32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch ?NoHigh-VoltageSuppliesRequired ?32-Channel,Single-Pole,Single-Throw(SPST) IndividualSwitchingorBankSwitching ?3.3VCMOSInputLogicLevel ?66MHzDataShiftClockFrequency ?Silicon-on-Insulator(SOI)High-Voltage Technology	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
IRLML2803	文件：81.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803	文件：191.69 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.25ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor,provid	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803	文件：449.62 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnologyUltraLowOn-Resistance Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRLML2803	文件：377.58 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRLML2803GPBF	文件：247.07 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803GTRPBF	文件：1.07155 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRLML2803PBF	文件：296.69 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803PBF	文件：258.529 Kbytes Page：9 Pages	ULTRALOWONRESISFANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803TR	文件：449.62 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnologyUltraLowOn-Resistance Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW

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更多GN2803A供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-9 11:06:00

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