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GNP2070TD-ZTR

Marking：GNP2070TD；Package：TOLL-8N；650V Enhancement mode GaN HEMT

Features ?650VE-modeGaNHEMT ?70mΩResistance ?5.2nCGateCharge Application ?HighDensityConverter ?HighSwitchingFrequencyConverter

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

GRF2070

Ultra-LowNoiseAmplifierTuningRange:0.1to1.5GHz

GUERRILLA

Guerrilla RF, Inc.

HAT2070R

SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching

Features ?Capableof4.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting ?Lowon-resistance RDS(on)=11m?typ(atVGS=10V)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HAT2070R

SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HAT2070R

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

HAT2070R-EL-E

SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HT-2070A

LOTTOFLASHDRIVER

HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek)

合泰合泰半導體

JT2070FA

MouldedCaseCircuitBreakers16-2500AmperesforIEC60947-2Applications

EATONEaton All Rights Reserved.

伊頓伊頓公司

MBR2070

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

ReverseVoltage-20to100VoltsForwardCurrent-20.0Amperes FEATURES ?TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ?Constructionutilizesvoid-free moldedplastictechnique ?Lowreverseleakage ?Highforwardsurgecurrentcapability ?

CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd.

深圳辰達半導體深圳辰達半導體有限公司

MBR2070

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERDIODES

Features ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory ●FlammabilityClassification94V-0 ●Constructionutilizesvoid-free ●moldedplastictechnique ●Lowreverseleakage ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Hightemperaturesolderingguaranteed: ●250°C,0.25”(6.35mm)from

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導體股份有限公司

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更多GNP2070TD-ZTR供應商 更新時間2025-3-3 10:34:00

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