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GP1601FSS18中文資料Dynex數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

GP1601FSS18
廠商型號(hào)

GP1601FSS18

功能描述

Single Switch Low VCE(SAT) IGBT Module

文件大小

124.39 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Dynex Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Dynex

中文名稱

Dynex Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-24 15:00:00

GP1601FSS18規(guī)格書詳情

The Powerline range of high power modules includes dual and single switch configurations covering voltages from 600V to 3300V and currents up to 4800A.

The GP800FSS18 is a single switch 1800V, n channel enhancement mode, insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. The IGBT has a wide reverse bias safe operating area (RBSOA) ensuring reliability in demanding applications.

FEATURES

■ Non Punch Through Silicon

■ Isolated Copper Baseplate With Al2O3 Substrate

■ Low Inductance Internal Construction

■ Full 1800V Rating

■ 800A Per Module

APPLICATIONS

■ High Power Inverters

■ Motor Controllers

■ Induction Heating

■ Resonant Converters

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    GP1601FSS18

  • 制造商:

    DYNEX

  • 制造商全稱:

    Dynex Semiconductor

  • 功能描述:

    Single Switch Low VCE(SAT) IGBT Module

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Taiwan Semiconductor
2022+
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