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GQM2195C2E180JB12D電容器的陶瓷電容器規(guī)格書PDF中文資料

GQM2195C2E180JB12D
廠商型號

GQM2195C2E180JB12D
參數(shù)屬性

GQM2195C2E180JB12D 封裝/外殼為0805（2012 公制）；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為電容器的陶瓷電容器；GQM2195C2E180JB12D應(yīng)用范圍：RF，微波，高頻；產(chǎn)品描述：CAP CER 18PF 250V C0G/NP0 0805
功能描述

RF Power LDMOS Transistor N?Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFET
封裝外殼

0805（2012 公制）
文件大小

385.37 Kbytes
頁面數(shù)量

17 頁
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp【恩智浦】

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-12 22:59:00
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GQM2195C2E180JB12D規(guī)格書詳情

This 93 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for

cellular base station applications covering the frequency range of 1427 to

1517 MHz.

Features

? Advanced high performance in?package Doherty

? Greater negative gate?source voltage range for improved Class C operation

? Designed for digital predistortion error correction systems

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    GQM2195C2E180JB12D

  • 制造商：

    Murata Electronics

  • 類別：

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列：

    GQM

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 容差：

    ±5%

  • 電壓 - 額定：

    250V

  • 溫度系數(shù)：

    C0G，NP0

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C

  • 特性：

    高 Q 值，低損耗

  • 應(yīng)用：

    RF，微波，高頻

  • 安裝類型：

    表面貼裝，MLCC

  • 封裝/外殼：

    0805（2012 公制）

  • 大小 / 尺寸：

    0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）

  • 厚度（最大值）：

    0.039"（1.00mm）

  • 描述：

    CAP CER 18PF 250V C0G/NP0 0805

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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