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GRM1555C1H101JA01電容器的陶瓷電容器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
GRM1555C1H101JA01 |
| 參數(shù)屬性 | GRM1555C1H101JA01 封裝/外殼為0402（1005 公制）；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為電容器的陶瓷電容器；GRM1555C1H101JA01應(yīng)用范圍：通用；產(chǎn)品描述：CAP CER 100PF 50V C0G/NP0 0402 |
| 功能描述 | Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) |
| 封裝外殼 | 0402（1005 公制） |
| 文件大小 |
342.39 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-6 20:00:00 |
| 人工找貨 | GRM1555C1H101JA01價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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GRM1555C1H101JA01規(guī)格書詳情
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
High Efficiency/Linearity Amplifier
The MMA25312B is a 2-stage high efficiency InGaP HBT driver amplifier designed for use in 2400 MHz ISM applications, WLAN (802.11g), WiMAX (802.16e) and wireless broadband mesh networks. It is suitable for applications with frequencies from 2300 to 2700 MHz using simple external matching components with a 3 to 5 V supply.
Features
? Frequency: 2300-2700 MHz
? P1dB: 31 dBm @ 2500 MHz
? Power Gain: 26 dB @ 2500 MHz
? Third Order Output Intercept Point: 40 dBm @ 2500 MHz
? Active Bias Control (On-chip)
? Single 3 to 5 V Supply
? Single-ended Power Detector
? Cost-effective 12-pin, 3 mm QFN Surface Mount Plastic Package
? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 12 mm Tape Width, 7-inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
GRM1555C1H101JA01D
- 制造商：
Murata Electronics
- 類別：
電容器 > 陶瓷電容器
- 系列：
GRM
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 容差：
±5%
- 電壓 - 額定：
50V
- 溫度系數(shù)：
C0G，NP0
- 工作溫度：
-55°C ~ 125°C
- 應(yīng)用：
通用
- 安裝類型：
表面貼裝，MLCC
- 封裝/外殼：
0402（1005 公制）
- 大小 / 尺寸：
0.039" 長 x 0.020" 寬（1.00mm x 0.50mm）
- 厚度（最大值）：
0.022"（0.55mm）
- 描述：
CAP CER 100PF 50V C0G/NP0 0402
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MURATA/村田 |
23+ |
NA/ |
20000 |
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詢價 | ||
MURATA |
05+ |
SMD |
7123 |
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MURATA/村田 |
24+ |
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