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GRM1555C1H101JA01電容器的陶瓷電容器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
GRM1555C1H101JA01 |
| 參數(shù)屬性 | GRM1555C1H101JA01 封裝/外殼為0402（1005 公制）；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為電容器的陶瓷電容器；GRM1555C1H101JA01應用范圍：通用；產(chǎn)品描述：CAP CER 100PF 50V C0G/NP0 0402 |
| 功能描述 | Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) |
| 文件大小 |
1.35533 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
28 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-1 21:41:00 |
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GRM1555C1H101JA01規(guī)格書詳情
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
High Efficiency/Linearity Amplifier
The MMZ09312B is a 2-- stage high efficiency, Class AB InGaP HBT amplifier designed for use as a linear driver amplifier in wireless base station applications as well as an output stage in femtocell or repeater applications. It is suitable for applications with frequencies from 400 to 1000 MHz such as CDMA, GSM, LTE and ZigBeeR at operating voltages from 3 to 5 Volts.
? Typical Performance: VCC1 = VCC2 = VBIAS = 5 Vdc, ICQ = 74 mA
Features
? Frequency: 400-1000 MHz
? P1dB: 29.6 dBm @ 900 MHz
? Power Gain: 31.7 dB @ 900 MHz
? OIP3: 42 dBm @ 900 MHz
? Active Bias Control (adjustable externally)
? Single 3 to 5 V Supply
? Performs Well with Digital Predistortion Systems
? Single-ended Power Detector
? Cost-effective 12-pin, 3 mm QFN Surface Mount Package
? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 12 mm Tape Width, 7-inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
GRM1555C1H101JA01D
- 制造商：
Murata Electronics
- 類別：
電容器 > 陶瓷電容器
- 系列：
GRM
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 容差：
±5%
- 電壓 - 額定：
50V
- 溫度系數(shù)：
C0G，NP0
- 工作溫度：
-55°C ~ 125°C
- 應用：
通用
- 安裝類型：
表面貼裝，MLCC
- 封裝/外殼：
0402（1005 公制）
- 大小 / 尺寸：
0.039" 長 x 0.020" 寬（1.00mm x 0.50mm）
- 厚度（最大值）：
0.022"（0.55mm）
- 描述：
CAP CER 100PF 50V C0G/NP0 0402
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MURATA/村田 |
2023+ |
SMD |
990000 |
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詢價 | ||
MURATA/村田 |
23+ |
NA/ |
20000 |
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詢價 | ||
MURATA ELECTRONICS |
22+ |
SMD |
518000 |
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