GRM155B31H103KA88中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	GRM155B31H103KA88
功能描述	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
文件大小	176.65 Kbytes
頁面數(shù)量	16 頁
生產(chǎn)廠商	Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱	RENESAS【瑞薩】
中文名稱	瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
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更新時間	2025-2-8 23:00:00

FEATURES

? The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

? SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

? This product is improvement of ESD of NESG3032M14.

? 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

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