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GRM188R60J475KE19D中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GRM188R60J475KE19D
廠商型號

GRM188R60J475KE19D
功能描述

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
文件大小

899.04 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale【飛思卡爾】

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-16 22:59:00

GRM188R60J475KE19D規(guī)格書詳情

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

High Efficiency/Linearity Amplifier

The MMA25312B is a high efficiency InGaP HBT amplifier designed for use in 2400 MHz ISM applications, WLAN (802.11g), WiMAX (802.16e) and wireless broadband mesh networks. It is suitable for applications with frequencies from 2300 to 2700 MHz using simple external matching components with a 3 to 5 volt supply.

Features

? Frequency: 2300-2700 MHz

? P1dB: 31 dBm @ 2500 MHz

? Power Gain: 26 dB @ 2500 MHz

? OIP3: 40 dBm @ 2500 MHz

? Active Bias Control (On-chip)

? Single 3 to 5 Volt Supply

? Single-ended Power Detector

? Cost-effective QFN Surface Mount Package

? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 12 mm Tape Width, 7 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    GRM188R60J475KE19D

  • 功能描述：

    多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT 0603 4.7uF 6.3volts X5R 10%

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    American Technical Ceramics(ATC)

  • 電容：

    10 pF

  • 容差：

    1 %

  • 電壓額定值：

    250 V

  • 溫度系數(shù)/代碼：

    C0G(NP0) 外殼代碼 -

  • in：

    0505 外殼代碼 -

  • mm：

    1414

  • 工作溫度范圍：

    - 55 C to + 125 C

  • 產(chǎn)品：

    Low ESR MLCCs

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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