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GRM31CR61H106KA12L中文資料恩智浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GRM31CR61H106KA12L
廠商型號

GRM31CR61H106KA12L

功能描述

1800–2200 MHz, 32 W AVG., 48 V AIRFAST RF POWER GaN TRANSISTOR

文件大小

761.3 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-6 15:08:00

GRM31CR61H106KA12L規(guī)格書詳情

Features

? High Terminal Impedances for Optimal Broadband Performance

? Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems

? Optimized for Doherty Applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    GRM31CR61H106KA12L

  • 功能描述:

    多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT 1206 10uF 50volt X5R +/-10%

  • RoHS:

  • 制造商:

    American Technical Ceramics(ATC)

  • 電容:

    10 pF

  • 容差:

    1 %

  • 電壓額定值:

    250 V

  • 溫度系數(shù)/代碼:

    C0G(NP0) 外殼代碼 -

  • in:

    0505 外殼代碼 -

  • mm:

    1414

  • 工作溫度范圍:

    - 55 C to + 125 C

  • 產(chǎn)品:

    Low ESR MLCCs

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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