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GS120R160Q4A

Marking：GS120R160；Package：TO-247-4；N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Description SiliconCarbide(SiC)MOSFETuseacompletelynew technologythatprovidesuperiorswitchingperformanceand higherreliabilitycomparedtoSilicon.Inaddition,thelowON resistanceandcompactchipsizeensurelowcapacitance andgatecharge.Consequently,systembenefitsinclu

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更多GS120R160Q4A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-27 14:20:00

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