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GT023N10M中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

GT023N10M
廠商型號(hào)

GT023N10M

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

GT023N10

封裝外殼

TO-263

文件大小

950.3 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡(jiǎn)稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-30 23:00:00

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GT023N10M規(guī)格書詳情

Description

The GT023N10M uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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