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GT10G131分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

GT10G131
廠商型號

GT10G131
參數(shù)屬性

GT10G131 封裝/外殼為8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 400V 1W 8-SOIC
功能描述

Silicon N Channel IGBT Strobe Flash Applications
封裝外殼

8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
文件大小

201.15 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA【東芝】

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-5 23:00:00

GT10G131規(guī)格書詳情

GT45F122, 45F122 Informaions

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    GT10G131(TE12L,Q)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 4V，200A

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    3.1μs/2μs

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOP（5.5x6.0）

  • 描述：

    IGBT 400V 1W 8-SOIC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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