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GT110N06D3中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GT110N06D3
廠商型號

GT110N06D3

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

GT110N06

封裝外殼

DFN3X3-8L

文件大小

758.1 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-5-23 11:06:00

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GT110N06D3規(guī)格書詳情

Description

The GT110N06D3 uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
24+
N/A
52000
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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一級代理,原裝現(xiàn)貨
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Hirose
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NK/南科功率
2025+
DFN3*3-8L
986966
國產(chǎn)
詢價(jià)
POWER
23+
32TQFP
6000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價(jià)
POWER
2022+
32TQFP
57550
詢價(jià)