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15J321

SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

15J321

HighPowerSwitchingApplicationsFastSwitchingApplications

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications ?Fourth-generationIGBT ?Fastswitching(FS ?Enhancementmodetype ?Highspeed:tf=0.03μs(typ.) ?LowsaturationVoltage:VCE(sat)=1.90V(typ.) ?FRDincludedbetweenemitterandcollector

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT15J321

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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GT15J321

HighPowerSwitchingApplicationsFastSwitchingApplications

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications ?Fourth-generationIGBT ?Fastswitching(FS ?Enhancementmodetype ?Highspeed:tf=0.03μs(typ.) ?LowsaturationVoltage:VCE(sat)=1.90V(typ.) ?FRDincludedbetweenemitterandcollector

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    GT15J321(Q)

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 600V/15A DIS+FRD

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA/東芝
23+
IGBT
6500
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價
TOSHIBA/東芝
23+
IGBT
6500
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價
TOSHIBA/東芝
23+
TO-220F
10000
公司只做原裝正品
 詢價
TOSHIBA/東芝
TO-220F
22+
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
TOS
24+
TO-TO-220F
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價
TOSHIBA
2020+
TO-263
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
TOSHIBA
21+
TO-220F
1754
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
TOSHIBA
1932+
TO-220F
1009
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
TOSHIBA/東芝
23+
NA/
4034
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
 詢價
TOSHIBA/東芝
23+
TO-220F
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
更多GT15J321(Q)供應(yīng)商 更新時間2025-1-12 9:30:00

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