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GT20J341分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

GT20J341
廠商型號

GT20J341
參數(shù)屬性

GT20J341 封裝/外殼為TO-220-3 整包；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S
功能描述

Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
封裝外殼

TO-220-3 整包
文件大小

251.62 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA【東芝】

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-17 20:00:00
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GT20J341規(guī)格書詳情

Features

(1) Sixth generation

(2) Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V (typ.) (IC = 20 A)

(3) FRD included between emitter and collector

Applications

? Motor Drivers

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    GT20J341,S4X(S

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    500μJ（開），400μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    60ns/240ns

  • 測試條件：

    300V，20A，33 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220SIS

  • 描述：

    DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TOSHIBA
13+
TO220
288
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
23+
NA/
4250
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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TOSHIBA(東芝)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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TOSHIBA
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TO-220F
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
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TOSHIBA/東芝
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860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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專注Toshiba品牌原裝正品代理分銷,認(rèn)準(zhǔn)水星電子
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TOSHIBA/東芝
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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TOSHIBA/東芝
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鄭重承諾只做原裝進(jìn)口貨
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TOSHIBA/東芝
23+
TO-220
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
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