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GT25Q301

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT25Q301

SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT25Q301

NCHANNELIGBT(HIGHPOWERSWITCHING,MOTORCONTROLAPPLICATIONS)

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    GT25Q301(Q)

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 High Power Motor N Channel IGBT 2.7V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

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更多GT25Q301(Q)供應(yīng)商 更新時間2024-10-26 14:30:00

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