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GT30J101中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GT30J101
廠商型號

GT30J101

功能描述

Silicon N Channel IGBT

文件大小

291.77 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-16 8:00:00

GT30J101規(guī)格書詳情

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 :

http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429

* GT30G124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

* GT30J124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

Applications and Features : Plasma display panels

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    GT30J101

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 30A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA/東芝
21+
TO-3P
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