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GT30N135SRA,S1E_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號：GT30N135SRA,S1E品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A

GT30N135SRA,S1E是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-247-3的GT30N135SRA,S1E晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    gt30n135sra,s1e

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  • 資料說明：

    D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    GT30N135SRA,S1E

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 15V，60A

  • 開關能量：

    -，1.3mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 測試條件：

    300V，60A，39 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A

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