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GT35J321中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

GT35J321
廠商型號(hào)

GT35J321

功能描述

Fourth-generation IGBT Current Resonance Inverter Switching Applications

文件大小

290.87 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-10 21:56:00

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GT35J321規(guī)格書詳情

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 :

http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429

* GT30G124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

* GT30J124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

Applications and Features : Plasma display panels

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    GT35J321

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    Fourth-generation IGBT Current Resonance Inverter Switching Applications

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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