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GT400P10M中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

GT400P10M
廠商型號(hào)

GT400P10M

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

GT400P10

封裝外殼

TO-263

文件大小

1.0189 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡(jiǎn)稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 23:00:00

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GT400P10M規(guī)格書詳情

Description

The GT400P10M uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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12388
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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GT
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MSOP-8
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一級(jí)代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、
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