GT40QR21分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
GT40QR21 |
| 參數屬性 | GT40QR21 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN( |
| 功能描述 | Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
| 封裝外殼 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 文件大小 |
230.28 Kbytes |
| 頁面數量 |
10 頁 |
| 生產廠商 | Toshiba Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
| 中文名稱 | 株式會社東芝官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-21 10:22:00 |
GT40QR21規(guī)格書詳情
Features
1. 6.5th generation
2. The RC-IGBT consists of a freewheeling diode monolithically integrated in an IGBT chip.
3. Enhancement mode
4. High-speed switching
IGBT : tf = 0.20 μs (typ.) (IC = 40 A)
FWD : trr= 0.60 μs (typ.) (IF = 15 A)
5. Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.9 V (typ.) (IC = 40 A)
6. High junction temperature : Tj = 175(max)
產品屬性
- 產品編號：
GT40QR21(STA1,E,D
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，40A
- 開關能量：
-，290μJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 測試條件：
280V，40A，10 歐姆，20V
- 工作溫度：
175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供應商器件封裝：
TO-3P（N）
- 描述：
DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
23+ |
TO-3P |
8560 |
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詢價 | ||
TOS |
TO3P |
68900 |
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TOS |
24+ |
30000 |
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TOSHIBA/東芝 |
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TO3P |
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TOSHIBA/東芝 |
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TO-3P |
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TOSHIBA/東芝 |
21+ |
TO3P |
6000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
TO3P |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
Toshiba |
18+ |
NA |
3000 |
進口原裝正品優(yōu)勢供應 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
22+ |
TO-3P |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
21+ |
TO-3P |
9866 |
詢價 |
