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GT50J121 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 TOSHIBA/東芝

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  • 廠家型號(hào)：

    GT50J121

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA/東芝

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    10000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-3P(LH)

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-4 10:06:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：GT50J121品牌：TOSHIBA/東芝

公司只做原裝正品

  • 芯片型號(hào)：

    GT50J121

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會(huì)社東芝

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大小：

    317.63 kb

  • 資料說明：

    TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GT50J121(Q)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.45V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    1.3mJ（開），1.34mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    90ns/300ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，50A，13 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3PL

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P（LH）

  • 描述：

    IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機(jī)：

    17704083728

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82578201

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)5107

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