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GT50J121分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

GT50J121
廠商型號(hào)

GT50J121

參數(shù)屬性

GT50J121 封裝/外殼為TO-3PL;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

功能描述

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

封裝外殼

TO-3PL

文件大小

317.63 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-5 23:00:00

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GT50J121規(guī)格書詳情

High Power Switching Applications

Fast Switching Applications

? Fourth-generation IGBT

? Enhancement mode type

? Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)

? High speed: tf = 0.05 μs (typ.)

? Low switching loss : Eon = 1.30 mJ (typ.)

: Eoff = 1.34 mJ (typ.)

? Low saturation Voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ.)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GT50J121(Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.45V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    1.3mJ(開),1.34mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    90ns/300ns

  • 測(cè)試條件:

    300V,50A,13 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3PL

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P(LH)

  • 描述:

    IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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