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GT50J121分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

GT50J121
廠商型號(hào)

GT50J121

參數(shù)屬性

GT50J121 封裝/外殼為TO-3PL;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

封裝外殼

TO-3PL

文件大小

1.58274 Mbytes

頁面數(shù)量

73

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-9 22:59:00

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GT50J121規(guī)格書詳情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GT50J121(Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.45V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    1.3mJ(開),1.34mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    90ns/300ns

  • 測(cè)試條件:

    300V,50A,13 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3PL

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P(LH)

  • 描述:

    IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

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