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GT50JR21(STA1,E,S)

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

GT50JR21

DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    GT50JR21(STA1,E,S)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,50A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P(N)

  • 描述:

    PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多GT50JR21(STA1,E,S)供應(yīng)商 更新時間2025-2-26 11:06:00