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GT60M302中文資料東芝數據手冊PDF規(guī)格書

GT60M302
廠商型號

GT60M302

功能描述

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)

文件大小

275.97 Kbytes

頁面數量

5

生產廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-29 8:02:00

GT60M302規(guī)格書詳情

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 :

http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429

* GT30G124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

* GT30J124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

Applications and Features : Plasma display panels

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