首頁>GT60N321(Q)>詳情

GT60N321(Q) 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 Toshiba Semiconductor and Stor

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：GT60N321(Q)品牌：Toshiba Semiconductor and Stor

公司只售原裝,支持實(shí)單

GT60N321(Q)是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Toshiba Semiconductor and Stor/Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO3P(LH)/TO-3PL的GT60N321(Q)晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    GT60N321(Q)

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 資料說明：

    IGBT 晶體管 IGBT 1000V 60A

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    GT60N321(Q)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，60A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    330ns/700ns

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3PL

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P（LH）

  • 描述：

    IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市芯福林電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張女士

  • 手機(jī)：

    13786598841

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82574045

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場6608

相近型號