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GT8G132

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT8G132

TOSHIBAInsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

StrobeFlashApplications ?Suppliedincompactandthinpackagerequiresonlyasmall mountingarea ?5thgeneration(trenchgatestructure)IGBT ?Enhancement-mode ?4-Vgatedrivevoltage:VGE=4.0V(min)(@IC=150A) ?Peakcollectorcurrent:IC=150A(max)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT8G132

StrobeFlashApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    GT8G132(TE12L,Q)

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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本公司只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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更多GT8G132(TE12L,Q)供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-28 9:38:00